工艺极限
ss、tt、ff分别指的是左下角的corner，中心、右上角的corner。各种工艺角和极限温度条件下对电路进行仿真是决定成品率的基础。
如果采用5-corner model会有tt,ff,ss,fs,sf 5个corners。如tt指nfet-typical corner & pfet-typical corner。其中, typical指晶体管驱动电流是一个平均值，fast指驱动电流是其最大值，而slow指驱动电流是其最小值（此电流为ids电流）这是从测量角度解释，也有理解为载流子迁移率(carrier mobility)的快慢。载流子迁移率是指在载流子在单位电场作用下的平均漂移速度。
单一器件所测的结果是呈正态分布的，均值在 tt，最小最大限制值为ss与ff。对于工艺偏差的情况有很多，比如掺杂浓度，制造时的温度控制，刻蚀程度等，因此造成了同一个晶圆上不同区域的情况不同，以及不同晶圆之间不同情况的发生。
pvt (process, voltage, temperature)
设计除了要满足上述5个corner外，还需要满足电压与温度等条件, 形成的组合称为pvt (process, voltage, temperature) 条件。电压如：1.0v 10% ,1.0v ,1.0v-10% ; 温度如：-40c, 0c 25c, 125c。设计时设计师还常考虑找到最好最坏情况. 时序分析中将最好的条件(best case)定义为速度最快的情况, 而最坏的条件(worst case)则相反。最好最坏的定义因不同类型设计而有所不同。最坏的延迟也不都出现在ss[19] 。至于延迟随pvt发生怎样的变化，还需要进一步查找资料。
根据不同的仿真需要，会有不同的pvt组合。以下列举几种标准sta分析条件[16]：
wcs (worst case slow) : slow process, high temperature, lowest voltage
typ (typical) : typical process, nominal temperature,nominal voltage
bcf (best case fast ) : fast process, lowest temperature, high voltage
wcl (worst case @ cold) : slow process, lowest temperature, lowest voltage
在进行功耗分析时，可能是另些组合如：
ml (maximal leakage ) : fast process, high temperature, high voltage
tl (typical leakage ) : typical process, high temperature, nominal voltage
除此之外，另一个组合条件称为 scenarios:
scenarios = interconnect operation mode pvt
噪声(noise)与串扰(crosstalk) 似乎需要另外考虑。
1. 内连线情况(interconnect corner)
制造对互连线造成的影响，如：r_typical c_typical, r_max c_max, r_max c_min, r_min c_min
2. 工作模式 (operation mode)
如：function mode, scan mode, sleep mode, standby mode, active mode
多种scenarios 的综合分析，称之为 mmmc (multi-mode multi-corner) analysis。
ocv (on-chip variations)
由于偏差的存在，不同晶圆之间，同一晶圆不同芯片之间，同一芯片不同区域之间情况都是不相同的。造成不同的因素有很多种，这些因素造成的不同主要体现：
1，ir drop造成局部不同的供电的差异；
2，晶体管阈值电压的差异；
3，晶体管沟道长度的差异；
4，局部热点形成的温度系数的差异；
5，互连线不同引起的电阻电容的差异。
ocv可以描述pvt在单个芯片所造成的影响。更多的时候, 用来考虑长距离走线对时钟路径的影响。在时序分析时引入derate参数模拟ocv效应，其通过改变时延迟的早晚来影响设计。